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在宏观尺度上，多多较大的孔隙尺寸有利于物质在多孔结构中的扩散。结合多孔材料和单晶的优点，假书将有效地解耦电子和声子的输运，并在增强热电材料性能方面找到潜在的应用。
通过控制母相与多孔单晶相对密度的变化，拼遭遇孔隙率一般可调整在~30-70%内。宏观尺度上多孔单晶的结构特征通常包括宏观尺寸、多多晶面取向、孔隙率和孔径大小。结构对称性在骨架内是连续的，假书而在孔洞内则完全丧失。
三、拼遭遇【核心要点】晶体生长实际上是一个将组成晶体的原子、拼遭遇离子、分子或分子组合在三维空间实现有规律的周期性排列，从而从固相、液相或气相转变为固相的过程。在单晶中引入孔隙，多多相对密度的变化主导了单晶孔隙率的变化，而尺寸与母相相比基本保持不变。
结合多孔材料和单晶的优点，假书该材料兼具孔隙和结构一致性，具有独特的、意想不到的物理和化学性能。
拼遭遇比表面积一般可控制在5-150m2g-1的范围内。例如，多多表面酸性的O官能团降低了碳的疏水性，导致表面可接近含水金属前驱体，而酸性较低的O官能团增加了金属前驱体与载体之间的相互作用。
©2022ElsevierB.V.图6.a)Pd5/ACA8、假书Pd5/re-ACA8和Pd5/re-ACA催化剂的氢体积随反应时间的变化。黄色表示电子耗竭区域，拼遭遇青色表示电子积聚区域。
多多©2022ElsevierB.V.图5.a)Pd5/re-ACA,b)Pd5/ACA8催化剂上的原位ATR-IR光谱作为将2M甲酸铵溶液漂洗到谱室后记录时间的函数。c)Pd5/ACA8、假书Pd5/reACA8和Pd5/re-ACA催化剂的氢体积随反应时间的变化。